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本帖最后由 abccbaa 于 2025-2-7 12:11 编辑
700s 也很好
ifi 有点味精的
大香有点薄
700s是jfet的机器 很适合静电
JFET的工作原理基于电场对沟道区导电性能的控制。具体来说，当我们在栅极上施加电压时，会在栅极与沟道区之间形成一个电场。这个电场会改变沟道区的导电性能，从而控制从源极（S）到漏极（D）的电流大小。如果增加栅极电压（对于n沟道JFET来说，是负电压；对于p沟道JFET来说，是正电压），那么电场强度会增加，导致沟道区的宽度变窄。这使得沟道区的电阻增大，从而减少了从源极到漏极的电流。相反，如果我们减小栅极电压，沟道区的宽度会变宽，电阻减小，电流增大。
这种通过改变栅极电压来控制沟道区导电性能的特性，使得JFET在电路中具有广泛的应用，在音频放大器中，可以利用JFET的低噪声特性来提供清晰无杂音的音频信号。此外，由于JFET具有“自我实现”的特性，它特别适合在电路初始启动期间能量不足的应用中使用。
分立式JFET（结型场效应晶体管）是一种基于半导体材料的电子元件。在JFET中，连接源极和漏极的路径由控制极（栅）电压调节，当输入信号施加到栅上时，电流通过源-漏路径，从而实现了信号的放大。JFET放大器在低噪声应用中具有独特的优势。与其他放大器相比，其噪声水平相对较低，这使得它成为高品质音乐放大的理想选择。通过减少电荷运动引起的热噪声，JFET放大器能够提供清晰无杂音的音频信号。
JFET具有高输入阻抗、低输出阻抗和线性增益等电气性能。这些特性使得JFET在电路设计中具有广泛的应用前景，例如在音频放大器、信号处理器等领域。JFET的主要原理是通过外加电场来控制器件内部pn结的宽度，进而达到控制器件导电性能的目的。以n沟道JFET为例，其结构主要由n型材料构成，两边镶嵌的p型材料中间形成了n沟道。n型材料上方的一极称为漏极，下方的一极称为源极，两个p型材料通过导线连接在一起称为栅极。
尽管JFET具有许多优点，但在近年来的应用中，其分立应用场景已日渐被MOSFET所取代。这主要是因为JFET需要使用负电压来进行偏置，使得电路设计起来不太方便和直观。此外，一些厂商会对JFET的高频特性进行优化，使得JFET栅漏间的寄生电容比栅源间的电容要小，因此在高频应用时，D极和S极不可互换。
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楼主: toto60
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发表于 2024-10-5 07:37
