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楼主: 子木

没事帖一个

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 楼主| 发表于 2005-5-5 20:53 | 显示全部楼层 来自 新疆乌鲁木齐市
我一刚开始就说对电源要求高
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发表于 2005-5-5 20:56 | 显示全部楼层
4k就4k吧。你是在高频下对不对?仔细看我73楼的图。ok,这时候你的fet输入阻抗是4k;那同时,信号源和耦合电容的阻抗是多少?

几乎短路。
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发表于 2005-5-5 20:59 | 显示全部楼层
下面是引用子木于2005-05-05 20:53发表的:
我一刚开始就说对电源要求高
OK。我承认你那个电路对电源要求高,那都是偏置造的孽。
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发表于 2005-5-5 21:00 | 显示全部楼层 来自 浙江省宁波市
风的理解基本同意;但有一点不赞同。
什么是场效应管的输入电容?
毫无疑问,是指gate-source之间的电容;
这个电容会与栅极电阻作用组成积分电路不假,
但在源级跟随器里,
输入电容在等效电路中不是接地的;
整个源级跟随器的输入电容则是用:
Cdg+(1-Av)Cgs近似表示。
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发表于 2005-5-5 21:09 | 显示全部楼层
ats909的分析有道理。但是:

输入电容分Cdg和Cgs;
在源极跟随器中,Cgs,也就是栅极到源极的等效电容很小,占次要地位,我这里将它忽略;而Cdg,也就是栅极到漏极的等效电容,这时占主要地位;
D极和电源相联,而电源在高频下可视为短路,
因此:Gin约等于Gdg,并且它是对地的。
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 楼主| 发表于 2005-5-5 21:14 | 显示全部楼层 来自 新疆乌鲁木齐市
又发现这个
MLNA0029.jpg
MLNA0030.jpg
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发表于 2005-5-5 21:14 | 显示全部楼层 来自 浙江省宁波市
下面是引用自由的风于2005-05-05 21:09发表的:
ats909的分析有道理。但是:

输入电容分Cdg和Cgs;
在源极跟随器中,Cgs,也就是栅极到源极的等效电容很小,占次要地位,我这里将它忽略;而Cdg,也就是栅极到漏极的等效电容,这时占主要地位;
D极和电源相联,而电源在高频下可视为短路,
.......

假定MOS管为理想器件,附图可能更接近于实际交流工作情况。风以为呢?
mos.GIF
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发表于 2005-5-5 21:16 | 显示全部楼层
子木找到了我那篇文章,费了不少劲吧?
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 楼主| 发表于 2005-5-5 21:17 | 显示全部楼层 来自 新疆乌鲁木齐市
下面是引用自由的风于2005-05-05 21:16发表的:
子木找到了我那篇文章,费了不少劲吧?

错了,全不费工夫

并没有刻意的要找
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发表于 2005-5-5 21:18 | 显示全部楼层 来自 广东省江门市新会区
下面是引用ats909于2005-05-05 21:14发表的:


假定MOS管为理想器件,附图可能更接近于实际交流工作情况。风以为呢?
这样还有低频可言????????
是对高频来说吧......
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发表于 2005-5-5 21:19 | 显示全部楼层
请注意,图片下面的文字注释由于排版人员的疏忽,发生张冠李戴的现象,不是我的过错。
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发表于 2005-5-5 21:19 | 显示全部楼层 来自 内蒙古
总斑竹大人。。。看看输入阻抗是怎样定义的,应该是与信号源没有关系的。
未命名.GIF
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 楼主| 发表于 2005-5-5 21:20 | 显示全部楼层 来自 新疆乌鲁木齐市
如果是K214这管子的话,估计没太大问题,K1529的话,应该没这么简单吧?
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发表于 2005-5-5 21:24 | 显示全部楼层
输入阻抗的大小是一个固有的特性,和信号源是没p关系。但是,信号源内阻相对于输入阻抗的大小,对信号的传递来说有着密切的联系。
请不要混淆。
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发表于 2005-5-5 21:27 | 显示全部楼层 来自 浙江省宁波市
只要标星号电阻足够大,比如大于10k,低频频响就没有什么问题。
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发表于 2005-5-5 21:30 | 显示全部楼层
下面是引用ats909于2005-05-05 21:27发表的:
只要标星号电阻足够大,比如大于10k,低频频响就没有什么问题。
同意。但大的取值的意义在于,你可以使用价钱更便宜的容量更小的耦合电容。并且,提高psrr。
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发表于 2005-5-5 21:33 | 显示全部楼层 来自 浙江省宁波市
同意。同样的电压变动反应在栅极和漏级上是两码事。
换个BJT打比方,放大电路VCE变动1V一般没什么关系,
VBE变动1V谁受得了?
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发表于 2005-5-5 21:33 | 显示全部楼层 来自 海南省海口市
下面是引用自由的风于2005-05-05 20:36发表的:

那看你用在什么地方。如果你用来推耳机,尤其是低阻高灵敏类型的,试一下你就有所体会了。
自由兄误会我的意思了,我和你的观点一样,我觉得200K的电阻只影响了电路的输入阻抗,它和输出管的输入电容是并联的关系,所以不影响高频特性。但是我觉得这种电路,电源只要供应充足了,电源对电路应该就不会有多大的影响了。
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发表于 2005-5-5 21:34 | 显示全部楼层 来自 内蒙古
下面是引用牛哥于2005-05-04 23:20发表的:
J200的输入电容在1300PF,实际上已经不小了,而1楼的电路偏置电路的单端回路直流电阻是24K,非常有利于MOS管子的栅极电容快速充电、放电,尤其是在频率非常低的场合,可以使低频清晰干净。而26楼的所谓改进电路把24K的栅极回路电阻改成200K,我只能说是改动,但不能承认是改进。

这个也错了?还是认真的看看之前的帖子吧。
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发表于 2005-5-5 21:41 | 显示全部楼层 来自 浙江省宁波市
我认为有必要把源级跟随器的输入电容与功率管的输入电容明确定义,进行区分。

MOSFET的输入电容是器件的本身属性,是指栅极与源级之间的等效电容,而与MOSFET的工作形式无关;

漏级跟随器的输入电容可以用Cdg+(1-Av)Cgs近似表示,考虑到跟随器电压放大倍数接近1,其输入电容约等于栅极与漏级之间的等效电容。

这两点不分清楚,就基本不用再讨论了,越说越糊涂。
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