下面是引用自由的风于2005-05-06 22:04发表的: 提醒牛哥,你在转移话题。 但退一步讲(又要退一步,真烦),我并不觉得6n4有什么了不得的问题。 请你把问题说仔细些,好让我逐个击破。 贸然仿造,后果自负。什么后果?是烧了还是糊了,可笑。
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下面是引用自由的风于2005-05-06 23:06发表的: 天哪。 拜托你看仔细。直接联接cd输出是214/77;胆管放大前我是加电位器的。 再一次要求,牛哥在下结论前看清别人的发言。
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2005-5-6 23:21 上传
下面是引用自由的风于2005-05-06 23:38发表的: 牛哥,我对你真是无语..... 拜托花3分钟时间看看你头顶上的电路。
下面是引用甩袖汤于2005-05-07 11:07发表的: 1、原来有个这么有意思的帖。 2、老牛在等效电路概念上弄错了。 3、凤是在定性上面分析的。 4、定性来讲: a、200k的偏值电阻提高了由前级向后看的负载阻抗,这减轻了前级的负担,耦合电容可以减小。 .......
MOS.GIF (8 KB, 下载次数: 0)
2005-5-7 11:40 上传
下面是引用甩袖汤于2005-05-07 11:48发表的: 老牛说的低频影响是那个方面?前面的贴子我没看仔细。
下面是引用悄悄豆于2005-05-07 11:58发表的风马牛不相及: 实际上,针对风版的图,贴子里有两对讨论的电阻: 1、串联在MOSFET与耦合电容之间的220R电阻(我的仿真图上的R3、R7),这对电阻与输出管的Cgd构成高通滤波器,将高频信号旁路到电源(交流“地”),这对电阻越大拐点越低,高频和瞬态响应越不好——这个是牛哥的观点,正确; 2、增加了的一对220K偏置电阻(我的仿真图上的R8、R9),这对电阻与耦合电容构成高通滤波器,将高频信号送到MOSFET进行放大,这对电阻越大拐点越低,低频响应越好——这个是风版的观点,正确; 一开始两个人的都正确,只是说的不是一个东西,到后来,一个不服气一个,非要说自己的是主要矛盾,影响最大,结果把大家都闹胡涂了; [s:21] [s:21] [s:21] [s:21] [s:21] [s:11] [s:11] [s:11] [s:11] [s:11]
下面是引用甩袖汤于2005-05-07 12:43发表的: 218楼2个图定性来说没有原则差别,请豆兄先仿真出结果看看。
下面是引用wode于2005-05-07 09:37发表的: 感觉牛哥贴的这些图片只能说明曾经更换过这个电阻,但是确实不能证明声音变化的原因是低通网络造成的,我觉得把这个问题的原因归结给低通网络是不够严谨的。
下面是引用甩袖汤于2005-05-11 21:06发表的: 把我们都兜到里面,你就走了。挑拨离间.........
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