下面是引用甩袖汤于2005-05-07 11:07发表的: 1、原来有个这么有意思的帖。 2、老牛在等效电路概念上弄错了。 3、凤是在定性上面分析的。 4、定性来讲: a、200k的偏值电阻提高了由前级向后看的负载阻抗,这减轻了前级的负担,耦合电容可以减小。 .......
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下面是引用悄悄豆于2005-05-07 11:09发表的: 甩老师的观点是对的! Wode,你注意:信号通道是由耦合电容和220R电阻等构成的,而R8/R9并非是串联的信号通道上,它的接法相当于增加了这个电路的输入阻抗,因此在耦合电容不变的情况下,R8/R9越大,低频响应越好,并不影响高频段,这个很重要,我估计牛哥也把R8/R9的接法疏忽了。
下面是引用甩袖汤于2005-05-07 11:25发表的: 这里主要是针对这个源级输出说的,这样定性分析方便而已。好早以前学习的时候等效电路总是弄不明白。一大堆,算也算不过来。后来觉悟了(实际上是偷懒了),次要矛盾一律放下,也就简单了。音频的东西,因为工作频率范围窄,可省略的很多。
下面是引用牛哥于2005-05-07 11:40发表的: 老甩和悄悄豆,我疑惑的就是这里,为什么看起来应该是高频出问题的地方,结果在实验的时候,是低频出现问题了。实际上高频也出问题了,是一个全面的问题。 类似的这个实验很好做,欢迎实际做一下。这个与悄悄豆的实验用的是一样的。
下面是引用悄悄豆于2005-05-07 11:58发表的风马牛不相及: 实际上,针对风版的图,贴子里有两对讨论的电阻: 1、串联在MOSFET与耦合电容之间的220R电阻(我的仿真图上的R3、R7),这对电阻与输出管的Cgd构成高通滤波器,将高频信号旁路到电源(交流“地”),这对电阻越大拐点越低,高频和瞬态响应越不好——这个是牛哥的观点,正确; 2、增加了的一对220K偏置电阻(我的仿真图上的R8、R9),这对电阻与耦合电容构成高通滤波器,将高频信号送到MOSFET进行放大,这对电阻越大拐点越低,低频响应越好——这个是风版的观点,正确; 一开始两个人的都正确,只是说的不是一个东西,到后来,一个不服气一个,非要说自己的是主要矛盾,影响最大,结果把大家都闹胡涂了; [s:21] [s:21] [s:21] [s:21] [s:21] [s:11] [s:11] [s:11] [s:11] [s:11]
下面是引用FDISK0078于2005-05-07 12:24发表的: 我的贴子都是对wode进行人身攻击吗? .......
下面是引用牛哥于2005-05-07 13:15发表的: 要是严谨很容易,那就是你把清都斑竹的功放电路中的那几个电阻换一下,自己实际体会一下两个电路的听觉上的差别是否存在,然后再说我是不是严谨。讨论了半天,还不就是为了这个制作么?你手头有现成的东西,为什么不动手做一下,然后给我们一个理论解释? 218楼有电路可以供你参考。
下面是引用甩袖汤于2005-05-07 22:27发表的: 240楼凤所列的因素不能解释牛哥说的现象(如果真实存在)。牛哥的前提条件是信号源的内阻都很小,有足够的带负载能力。
下面是引用自由的风于2005-05-08 19:30发表的: to甩师傅,wode,悄悄豆: 两个内阻(信源加耦合电容的容抗)不同的回路对这个干扰的抑制能力是有差异的 .......
下面是引用luyeallen于2005-05-13 00:32发表的: 开篇千言。。离题万里!!。。越来越无聊!。。 讨论技术的地方不要放这么多感情因素。。 不懂的人要尊重懂的人。。基本的从师之道。。人家的教诲无论错对都应该尊重。。 .......
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